“层次聚类”平台中提供了称为“空间测度”的专业聚类选项。在本例中,您使用该选项对晶片聚类。有关该选项的信息,请参见空间测度。
1. 选择帮助 > 样本数据库,然后打开 Wafer Stacked.jmp。
2. 选择分析 > 聚类 > 层次聚类。
3. 在左下角的列表中,将如往常的数据更改为数据被堆叠。
针对堆叠数据的更多选项显示在启动窗口中。
4. 选择缺陷数并点击 Y,列。
5. 选择 X_裸片和 Y_裸片并点击特性 ID。
6. 选择批和晶片并点击对象 ID。
7. 从左下角的选项列表中选择添加空间测度。
图 12.8 完成的“聚类”启动窗口
8. 点击确定。
图 12.9 “空间成分”窗口
缺陷数在 1423 个位置进行的测量,因此有 1423 个特性变量。
9. 点击确定接受“空间”窗口中的选择。
两个窗口打开:“层次聚类”报表和“Wafer Stacked 缺陷数空间”数据表。
10. 在“系统树图”图中,点击并拖动顶部的菱形控点来探索各种数量的聚类。
当您拖动控点时,系统树图下方的距离图中的垂直线会移动到相应的聚类数。垂直坐标是在给定步生成的两个聚类之间的距离。图形看起来在聚类数为 7 时趋于水平。
11. 点击“层次聚类”红色小三角并选择聚类数。
12. 输入 7 并点击确定。
13. 点击“层次聚类”红色小三角并选择聚类汇总。
图 12.10 “聚类汇总”报表
晶片图指出每个聚类的次品数空间性质。“聚类 1”包含 104 个晶片,它们的次品数较少,次品均匀分布在晶片中。“聚类 3”有 5 个晶片,次品集中在上半圆和下半圆的两端处。您可以在聚类分析生成的数据表中查看各晶片及其 Hough 空间映射的图。请参见空间测度。