注意:该示例来自美国国家标准和技术研究所 (NIST) 的在线手册。您可以在 https://www.itl.nist.gov/div898/handbook/prc/section2/prc232.htm 上查看 NIST 手册示例。
对许多硅晶片的电阻率进行测量所得的方差要求为 100 欧姆平方厘米。若某一批次的方差大于 155 欧姆平方厘米,买家将不愿接受。您必须检验多少晶片来估计批次方差(要求针对目标100 欧姆平方厘米,可以检测 55 欧姆平方厘米的增量)?从标准差角度,假设的标准差 σ0 为 10(100 的平方根)且 σ 为 12.4499(100 + 55 = 155 的标准差)。待检差值为 12.4499 – 10 = 2.4499。所需的功效为 0.99,显著性水平为 0.05。
1. 选择实验设计 > 设计诊断 > 样本大小与功效。
2. 点击单样本标准差。
3. 保留 Alpha 为 0.05。
4. 为假设标准差输入 10。
5. 为备择标准差选择“更大”。
6. 为待检差值输入 2.4499。
7. 将样本大小留空。
8. 为功效输入 0.99。
9. 点击继续。
“单样本标准差”计算器
您必须检验 171 个晶片,才能在 alpha 为 0.05 的情况下有 99% 的机会检测出标准差增加了 2.4499(针对标准差 10)。