注意：该示例来自美国国家标准和技术研究所 (NIST) 的在线手册。您可以在 http://www.itl.nist.gov/div898/handbook/prc/section2/prc232.htm 上查看 NIST 手册示例。
对许多硅晶片的电阻率进行测量所得的方差要求为 100 欧姆平方厘米。若某一批次的方差大于 155 欧姆平方厘米，买家将不愿接受。您必须检验多少晶片来估计批次方差（要求针对目标100 欧姆平方厘米，可以检测 55 欧姆平方厘米的增量）？从标准差角度，假设的标准差 σ0 为 10（100 的平方根）且 σ 为 12.4499（100 + 55 = 155 的标准差）。待检差值为 12.4499 – 10 = 2.4499。所需的功效为 0.99，显著性水平为 0.05。
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1.
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选择实验设计 > 设计诊断 > 样本大小与功效。
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2.
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点击单样本标准差。
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3.
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保留 Alpha 为 0.05。
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4.
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为假设标准差输入 10。
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5.
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为备择标准差选择“更大”。
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6.
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为待检差值输入 2.4499。
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7.
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将样本大小留空。
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8.
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为功效输入 0.99。
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9.
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点击继续。
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图 17.11 “单样本标准差”计算器
